【提问】请问T5L内部的256kW片内FLASH是否用户可以全部使用？

spadger

通过系统变量接口：NOR_FLASH_RW_CMD读取T5L内部FLASH，试了下读取出来的内容是一些随机值，并不是空闪存常见的FFFF。
想问下，T5L内部的256kW（512kB）闪存空间是否全部可以给用户使用？我使用OS核心C51方式开发，另外一个核心是否有用到这部分闪存？

DWIN_LZ

T5L片内512KB数据库都是给用户使用的，使用C51方式开发可以，GUI核不会访问这些闪存空间，用C51读写就行。

spadger

DWIN_LZ 发表于 2023-5-30 13:10
T5L片内512KB数据库都是给用户使用的，使用C51方式开发可以，GUI核不会访问这些闪存空间，用C51读写就行。 ...

读出来的随机数值是否正常？

DWIN_LZ

T5L 芯片内 Nor Flash 数据库 最开始的数据并不是0000 0000这样的格式，我们可以用一个00.lib文件进行初始化（附件的00.rar）；NOR Flash 数据库可以用00.lib，01.lib命名格式的库文件进行擦写或者导入覆盖，比如用sd卡下载烧录后赋值或者擦除，每个 ID 分配占用对应 2KWords 存储器，ID 范围 0-79。

spadger

DWIN_LZ 发表于 2023-6-7 15:42
T5L 芯片内 Nor Flash 数据库 最开始的数据并不是0000 0000这样的格式，我们可以用一个00.lib文件进行初始 ...

用户使用时，读写内部Nor Flash数据库是否要考虑FLASH的磨损均衡？比如我只读写2kWords的数据，可以只读写ID0，ID1-79全部空闲不用。如果UI核心那边已经考虑过磨损均衡，OS核心这边就不需要多此一举了，直接读写ID0即可。请问UI核心那边是如何处理的？

spadger

2kWord对应4kB，是不是T5L芯片内部一个Sector尺寸？UI核心的固件在处理内部FLASH读写时是如何擦除的？2kWord随意写一个地址都要擦除整个Sector吗？
常用的磨损算法是把一个擦除单位4kB分成多份，比如16个256字节，全部用完以后再整个擦除，提高FLASH寿命，OS核心并没有擦除FLASH的接口，请问UI核心那边是如何处理的？

integer_32

spadger 发表于 2023-6-9 11:23
2kWord对应4kB，是不是T5L芯片内部一个Sector尺寸？UI核心的固件在处理内部FLASH读写时是如何擦除的？2kWor ...

单个地址寻址的，内核没有做平衡  要用户自己组织算法去平衡。

spadger

integer_32 发表于 2023-6-21 17:06
单个地址寻址的，内核没有做平衡  要用户自己组织算法去平衡。

2kWord随意写一个地址都要擦除整个Sector吗？

nearsea

spadger 发表于 2023-10-23 14:15
2kWord随意写一个地址都要擦除整个Sector吗？

是的，我跟踪过，写一个字节和写几百个字节时间相同，耗时几十个毫秒，说明整个擦除了一个扇区。

spadger

现在的片内NOR FLASH用0x08 NOR_FLASH_RW_CMD系统变量接口来读写，操作码0x5A是读，0xA5是写。这个接口很简单，但是不够灵活，无法满足用户更深入的需求。建议按以下更新：
1）0x5A读接口无需修改，
2）0xA5写接口也无需修改
3）增加0xA6只写接口，不擦除，直接写入，NOR FLASH是允许的。
4）增加0xA7擦除接口，擦除一个4kB的Sector
使用擦除和只写接口，用户很容易实现自己的磨损均衡功能。更新一下UI那边的固件即可，实现并不难。