【提问】请问T5L内部的NOR FLASH是否每次写入都会擦除4kB的Secto

spadger

目前DGUS只定义了读、写两个操作，通过0x08地址起始的变量操作，对用户屏蔽了擦除操作。

用来初始化的00.lib文件大小为4kB，也就是说NOR FLASH的sector尺寸为4kB，如果我使用某个sector来存储数据，是否每次写入都会擦除这个sector？
如果每次几个字节，都要擦除整个sector，对于NOR FLASH的寿命是不利的。如果UI核心没有采用磨损均衡策略，OS核心是否可以做一些磨损均衡？有没有相关例程？

Yangjc1030

是的，如果你使用某个sector来存储数据，每次写入都会擦除这个sector。因为NOR FLASH的最小擦除单位为一个sector，每次写入数据时需要先将整个sector擦除，然后再将数据写入。这也是为什么在使用NOR FLASH存储数据时需要注意数据的写入次数，过多的写入会导致NOR FLASH寿命的缩短。

spadger

Yangjc1030 发表于 2023-10-23 15:24
是的，如果你使用某个sector来存储数据，每次写入都会擦除这个sector。因为NOR FLASH的最小擦除单位为一个s ...

DGUS是否可以把擦除接口给留出来？4kB的Sector，每次肯定没有那么多参数存，大多数应用参数不到128字节。可以把4kB分成32个128字节的页，写完32各页以后再擦除一次，这样写入寿命扩大32倍，基本不需要考虑寿命问题。外挂的NOR FLASH很容易实现这个功能。

Yangjc1030

spadger 发表于 2023-10-23 16:42
DGUS是否可以把擦除接口给留出来？4kB的Sector，每次肯定没有那么多参数存，大多数应用参数不到128字节。 ...

一定要用0.lib去擦除吗？本来数据就不多的话，直接覆写覆盖掉不行吗？

spadger

Yangjc1030 发表于 2023-10-23 16:54
一定要用0.lib去擦除吗？本来数据就不多的话，直接覆写覆盖掉不行吗？

就是用C51代码去擦除，问题是DGUS的API只提供了读、写两个操作，用户并不清楚UI核心是什么时候擦除的

DWIN_LZ

执行读写操作后，可以读取0x08高字节的状态， 0x5A=读 0xA5=写，CPU 操作完清零。

nearsea

很无语，在技术问题上遮遮掩掩的，我也是因为要用这个功能并且需要计算寿命，查尽资料才从00.lib的描述中猜出4k扇区，文档中对片内FLASH没有更多描述，和楼主一样的疑问，为什么不把功能和资料描述清晰，写入和擦除的逻辑说的详细些，资料真的是惜字如金啊，不能把“页”写(假如有的话)和擦除的操作开放给用户？写几个字节真的没有必要擦除一个扇区的，可以把算法交给用户自己处理。
资料少而且不准确才能映射出技术支持的重要性