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【分享】如何实现片内NOR Flash读写操作(数据掉电保存)?

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发表于 3 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式
T5L系列ASIC有1MB片内Flash,其中512KB作为用户数据库,将需要掉电保存的数据存储(写)到片内NOR Flash,然后通过系统变量接口0x0008把数据从片内NOR Flash读到变量地址中显示。



例如,读写起始VP地址0x1002的数据,实现掉电保存的功能。

第一步,将0x12345678写入到起始VP地址0x1002,指令示例如下:
5A A5 07 82 1002 12 34 56 78
0x5AA5:帧头
0x07:数据长度(字节)
0x82:写指令
0x1002:VP地址
0x12345678:数据

第二步,通过0x0008系统变量接口,将起始VP地址0x1002的2个字长数据写入片内NOR Flash数据库首地址0x000002,指令示例如下:
5A A5 0B 82 0008 A5 000002 1002 0002
0x5AA5:帧头
0x0B:数据长度(字节)
0x82:写指令
0x0008:系统变量接口地址
0xA5:D7,写数据
0x000002:D6:4,片内NOR Flash数据库地址
0x1002:D3:2,VP地址
0x0002:D1:0,读写字长度

第三步,通过0x0008系统变量接口,将片内NOR Flash数据库0x000002地址数据读取到起始VP地址0x2000,指令示例如下:
5A A5 0B 82 0008 5A 000002 1002 0002
0x5AA5:帧头
0x0B:数据长度(字节)
0x82:写指令
0x0008:系统变量接口地址
0x5A:D7,读数据
0x000002:D6:4,片内NOR Flash数据库地址
0x1002:D3:2,VP地址
0x0002:D1:0,读写字长度













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