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T5L提供了320KB的内部NOR FLASH，可存储掉电不丢失数据。
该flash为GUI核驱动，51核通过访问DGUS接口变量实现对数据的读写操作。
该flash访问涉及到的FLASH地址，DGUS缓存变量地址，读写字长度（双字节），均应为偶数，说明
本质上属于32位存储器。
实测了一下该flash的读写周期，以单次读写200字节为例：
读：20ms；
写：80ms；
合计：100ms；
因为DGUS变量本身读写速度很快，时间开销主要为51核等待GUI核读写完成上。这个时间会比较长尤其是flash写操作。
考虑到此时51核只需要耐心等待即可，不会影响其它任务执行。
// 3.等待操作完成
while(1)
{
read_dgus(0x08,d,2);
if(d[0]==0) break;
os_wait2 (K_TMO, 2);
}
当读写字节数减小时，时间开销并没有明显的变化，依然会在100ms左右。
ps：该指令中，DGUS缓存地址为16位。
D3:2：数据变量空间首地址，必须是偶数。
以双字节地址计算的话，说明该地址只能是前128K地址，而不能是留给用户使用的后128K地址。
因为后128K地址>16位。
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发表于 2022-5-18 18:29:16
