【迪文资讯】迪文M系列单片机设计建议咨询

dwinForumAdmin

针对广大用户对高性能单片机的需求，迪文科技计划推出一款基于ARM Cortex M3核的高性价比单片机。芯片架构及规划如下，欢迎大家提出宝贵的建议。

1.系统架构

2.主要参数

1) CPU

• ARM Cortex M3核，400MHz主频（预计可以跑到600MHz）。
  

2）储存器

• 1Mbytes片内Flash；
• 1Mbytes 片内SRAM （Code RAM 512KB，Data RAM 512KB ）。
  

3）外设接口

• 8路 16bit 100MSPS ADC及DMA；
• 2路 16bit 100MSPS DAC及DMA；
• 4路 16bit PWM；
• 4路 UART；
• 1路 CAN；
• 1路 USB2.0 OTG及DMA；
• 1路 I2S输出接口及DMA；
• 内置看门狗(WDT);
• 80个 IO。
  

4）液晶驱动

• 支持最大480*272分辨率液晶显示，24位色，显存和Data RAM复用。
  

5）调试接口

• ARM仿真器标准JTAG接口，片内Flash读写加密。
  

6）可靠性

• 工作温度：-40℃到+105℃；
• ESD能力：2KV HBM
  

感谢大家的建议。
（1）这颗单片机的定位是做高性能模拟信号处理，验证迪文自己设计的高性能模拟IP（12bit 1MSPS的AD和16bit 100MSPS成本差不多），为后续的集成奠定基础。
         AD的性能大家可以期待，是真正16bit分辨率，1亿次/秒转换速度。
         应用场景还是迪文目前用类似高价进口IC的做小型仪器、设备的客户，LCD不需要大屏显示，GUI也没什么需求，关键是帮客户把成本做下来，摆脱进口依赖。
（2）迪文会在Q4量产以多媒体应用为主的T5L3，内置了64MB 800MHz DDR3，支持60fps 720P视频播放，带MIPI接口，支持2K屏，摄像头、4核结构带DSP支持HiFi音频、音效和声场处理。
（3）更高性能的T5G会在2021量产，支持4K屏。

舞指飞扬

片内SRAM  1024 KBYTE  显得有些小.

阿牛啊

强大，这是用作触摸屏内核吧

熊家余

这是将T5L中的C51核换成M3的核嘛？那就太牛逼了,一直期待这个,现在的C51核资源有点局限,引脚数也不太够用,然后希望M3核上加上usb和rtc的外设就更好了
这完全是颠覆传统的gui设计,加油!

熊家余

请问,大概啥时候能出来呢?我们公司第一时间采用此方案,出来之后,望通知

luozewei

建议LCD输出用MIPI口，脚占用少。MIPI口是差分传输，抗干扰能力强，距离比RGB的TTL电平长。DRAM起码得32M，软件编程分层技术。 增加MPU单元，希望屏刷新率达到120Hz。用DMA不停地刷。增加1路UART+DMA,  UFS2.1内核 SD3.0接口作为高速ROM接口. ADC, DAC  其实12bit足够了，16bit难度高多了，指标上不去16bit也没意义的。音频输出还是建议用384K 16bit PWM模式，可以和最新的TI 数字功放芯片匹配，这种模式是真正的全数字音频。信噪比最高。PWM可以参考microchip公司的高分辨率PWM模式，是采用锁相环技术。I2S支持输入/输出。

fod

液晶驱动
支持最大480*272分辨率液晶显示，24位色，显存和Data RAM复用

--这个分辨率支持的低，最好支持到1280*720，

fod

可以参考下STM32H750VBT6，这个芯片的价格就20多点，但是功能太强大了，

nizhenyu

建议直接上CM4，带DSP，做复杂算法很轻松

lihui163

舞指飞扬 发表于 2020-4-6 23:49
片内SRAM  1024 KBYTE  显得有些小.

内置的ram已经不小了